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高壓熔斷器損耗介紹
發布人：川泰熔斷器 字體【小 大】 【打印本頁】 點擊率【 】
關鍵字:【熔斷器 】
單根電容元件的tgQ值不得大于2％(溫度20℃，電壓10kV)。電容元件tgQ的大小直接影響快速熔斷器的絕緣性能相使用壽命。如果電容元件的tg6過大不但浪費電能，高壓穿墻套管在一些特定情況下有可能爆炸而造成惡性事故。福建省泉州供電局一臺Dw8—35型多種高壓熔斷器電容會管的介損達6.5％，在電流速斷動作跳問的同時發生爆炸就是一個典型的事例．因此每臺快速熔斷器出廠,投運或檢修后都必須進行元件的tgQ測量，達到標準后才能出廠或通電遠行。
介質損失率tgQ表示該絕緣材料在交流電場下能量損耗的一個參數，高壓負荷開關是外施正弦電壓與通過介質的電流之間的相角的余角的正切。介質損耗使流過電介質的電流不再是超前于所加電壓90°的純電容電流(無功電流)，而具有—些有功電流(損耗的電流)。跌落式熔斷器所以介質損耗角正切就是介質在交流電壓下電流的有功分量與無功分量之比。
在交變電場下快速熔斷器損耗可以分為兩部分：其一是介質微弱的導電性產生的泄漏電流引起的能量損耗；其二是由電介質內部反復極化造成分子之間不斷“摩擦”引起的損耗，損耗引起介質發熱，發熱又加速了介質損耗。但是在介質絕緣強度穩定的情況下，給介質施加穩定的正弦交流電壓時這個損耗是一個較穩定的值tgQ表示。,
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